本报讯 12月6日上午,由东南大学和全国纳米技术标准化委员会共同主办的“下一代电子信息材料与器件高峰论坛暨第三届低维材料应用与标准研讨会”在无锡开幕,东南大学微纳系统国际创新中心在会上揭牌。中国工程院院士许居衍,中国科学院院士郑有炓、李述汤、邢定钰、刘忠范、毛军发、杨德仁、成会明、崔铁军等国内相关领域的众多知名专家,北京大学、清华大学、复旦大学、南京大学、中科院等高校及科研院所的知名学者、教师和学生代表500余人现场参加了本次活动。中国科学院院士郝跃、黄如在线参加了会议。
开幕式上,无锡市委书记黄钦在致辞中表示,无锡作为集成电路产业“重镇”,将认真贯彻习近平总书记重要讲话精神,全面落实中央和江苏省决策部署,以此次活动为契机,联手各界、会同各方奋力攀登创新高峰,聚力打造产业高地,协力提升合作高度,进一步深化校地合作、人才合作、产学研合作,高标准办好东南大学无锡国际校区,高起点建设微纳系统国际创新中心,加快建成高层次人才培养基地、高水平科学研究基地、高科技成果转化基地。
校长张广军在致辞中代表学校向与会院士、领导和专家表示欢迎和感谢。他指出,一代材料、一代器件,一代技术、一代装备。当前,随着移动互联网、可穿戴柔性电子等领域的高速发展,我国正处在新一代电子信息材料与器件快速发展的关键时期,对超小尺寸、超高速、超高效率、超低功耗电子技术的战略需求日益迫切,对电子信息材料与器件的性能也提出更高要求,期待与会院士、专家通过本次会议高规格、高质量的探讨与交流,推动 (下转二版)